近紅外一般定義為700-1600nm波長范圍內(nèi)的光線，由于硅傳感器的上限約為1100nm，砷化銦鎵（InGaAs）傳感器是在近紅外中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見光難以或無法實施的應(yīng)用可通過近紅外成像完成。當(dāng)使用近紅外成像時，水蒸氣、霧和硅等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測被應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的各個方面。

使用顯微鏡的近紅外（NIR）成像可透過厚度高達(dá)650微米的硅進(jìn)行成像，成為檢測電子設(shè)備和半導(dǎo)體的一種強(qiáng)有力的方式。微電子設(shè)備的典型故障分析方案要求能透過硅對電路圖進(jìn)行無損檢測，同時保持成品的機(jī)械整合性。

使用近紅外成像的典型電子設(shè)備檢測包括：

· 產(chǎn)品內(nèi)部的短路檢測（如燒蝕標(biāo)記、壓力指標(biāo)）

· 鍵合對準(zhǔn)（分析薄鍵合電路之間的對齊標(biāo)記和粘結(jié)晶圓的對齊）

· 電氣測試后的檢測（任何類型的故障）

· 芯片損壞評估（如原料缺陷、污染）

· 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）檢測，如粘結(jié)晶圓內(nèi)的設(shè)備結(jié)構(gòu)、孔洞和缺陷探測以及實時機(jī)械移動狀態(tài)成像